DDR3是一種電腦內存規格。它屬于SDRAM家族的內存產品，提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓。
DDR3技術概論
DDR3 SDRAM為了更省電、傳輸效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，運作I/O電壓是1.5V，采用CSP、FBGA封裝方式包裝，除了延續DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更為精進的CWD、Reset、ZQ、SRT、RASR功能。
DDR3內存的技術改進
邏輯Bank數量：DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。
封裝：DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。
突發長度：由于DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期(BL，Burst Length)也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop(突發突變)模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。
尋址時序：DDR3的延遲在5至11之間，且附加延遲(AL)的設計也有所變化。
降低功耗：DDR3內存在達到高帶寬的同時，其功耗反而可以降低，其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，相關數據預測DDR3將比現時DDR2節省30%的功耗。
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